Пиши Дома Нужные Работы

Обратная связь

MP111 - описание производителя. Основные характеристики и параметры. Даташиты. Справочник транзисторов.

ЕСЕП

 

Тақырыбы: Биполярлық транзисторды зерттеу.

 

Орындағандар: Нұрғалиұлы М., Даржанов Ж., Аманбек Д.

Тобы: ЭСХук-14-1

 

Тексерген: аға оқытушы

Абдрешова Самал Бексұлтановна

 

 

Алматы, 2015

2. Зертханалық жұмыс

Биполярлық транзисторды және басқарылатын р-n ауысуы бар өрістік транзисторды зерттеу

 

Жұмыстың мақсаты:

- биполярлық транзистордың кіріс және шығыс ВАС түсіру;

- транзистордың h- параметрлерін графикалық түрде анықтау;

- басқарылатын р-n ауысуы өрістік транзистордың ВАС және арнасының кедергісін зерттеу.

 

2.1 Жұмыс тапсырмалары

2.1.1 Транзистордың кіріс сипаттамасын Iб = f(Uбэ) коллекторлық кернеу Uкэ=0В болған кезде, түсіріп, графигін тұрғызыңыз.

2.1.2 Транзистордың кіріс сипаттамасын Iб = f(Uбэ) коллекторлық кернеу Uкэ=5В болған кезде, түсіріп, графигін тұрғызыңыз.

2.1.3 Транзистордың кіріс сипаттамасын Iб = f(Uбэ) коллекторлық кернеу Uкэ=10В болған кезде, түсіріп, графигін тұрғызыңыз.

2.1.4 Транзистордың шығыс сипаттамасын Iк =f(Uкэ) базалық тоқты 0 ден 100 мкА дейін өзгерте отырып, түсіріп, графигін тұрғызыңыз.

2.1.5 Өрістік транзистордың құймалық сипаттамасын түсіріңіз.

2.1.6 Өрістік транзистордың құйма тиектік сипаттамасын түсіріңіз.

2.1.7 Өрістік транзистор арнасының кедергісін өлшеңіз.

 

2.2 Жұмысты орындауға әдістемелік нұсқаулар

2.2.1 2.1 суреттегі сұлба орналасқан, ЕВ – 111 баспа платасын DEGEM system фирмасының PU 2000 стендына орнатыңыз.



2.2.2 Rv1, R4, R5 резисторларының кедергілерін өлшеңіз.

2.2.3 Транзистордың кіріс сипаттамасын Iб = f(Uбэ) коллекторлық кернеу Uкэ=0В болған кезде, түсіру үшін сұлбаны жинаңыз (2.1 суретті қар.).

2.2.4 Rv1 айнымалы резисторының көмегімен базалық тоқты 10 мкА интервалымен өзгерте отырып, өлшенген базалық кернеудің Uбэ мәндерін 2.1 кестесіне жазыңыз.

2.1 Сурет – Коллектордағы кернеу нөлге тең болғанда, кіріс сипаттаманы түсіруге арналған сұлба

Кесте 2.1

,µA
Uбэ,В 0.45 0.46 0.48 0.49 0.5 0.5 0.51 0.51 0.52 0.52   0.52     0.52     0.53

2.1 кестесінің графигі

2.2.5 Транзистордың кіріс сипаттамасын Iб = f(Uбэ) коллекторлық кернеу Uкэ=5В және Uкэ=10В болған кезде, түсіру үшін сұлбаны жинаңыз (2. 2 суретті қар.).

2.2.6 PS-1 қоректендіру көзінің реттегіші арқылы Uкэ=5В коллекторлық кернеуінің мәнін орнатыңыз.

2.2.7 Rv1 айнымалы резисторының көмегімен базалық тоқты өзгертіп, өлшенген Uбэ кернеуінің мәнін 2.2 кестесіне енгізіңіз.

2.2.8 PS-1 қоректендіру көзінің реттегіші арқылы Uкэ=10В коллекторлық кернеуінің мәнін орнатыңыз.

2.2.9 Rv1 айнымалы резисторының көмегімен базалық тоқты өзгертіп, өлшенген Uбэ кернеуінің мәнін 2.2 кестесіне енгізіңіз.

 

 

2.2 Сурет – Коллектордағы кернеу 5В және 10В болғанда, кіріс сипаттаманы түсіруге арналған сұлба

 

Кесте 2.2

Iб, µA
Uбэ, В, Uкэ=2В 0.45 0.48 0.5 0.51 0.52 0.53
Uбэ, В, Uкэ=5В 0.56 0.59 0.62 0.65 0.66 0.67
Uбэ, В, Uкэ=10В 0.58 0.61 0.64 0.66 0.67 0.69
           

 

2.2.10 Транзистордың шығыс сипаттамасын Iк=f(Uкэ) базалық тоқ нөлге тең болған кезде, түсіру үшін сұлбаны жинаңыз (2.3 суретті қар.).

2.2.11 PS-1 қоректендіру көзінің реттегіші арқылы коллекторлық кернеуді нөлден 9В дейін, 1В интервалымен, өзгерте отырып, өлшенген коллекторлық тоқтың мәндерін 2.3 кестесіне жазыңыз.

2.2.12 Транзистордың шығыс сипаттамасын Iк=f(Uкэ) фиксирленген базалық тоқ болған кезде, түсіру үшін сұлбаны жинаңыз (2.4 суретті қар.).

2.2.13 Rv1 айнымалы резисторының көмегімен базалық тоқтың шамасын 20мкА етіп орнатыңыз, PS-1 қоректендіру көзінің реттегіші арқылы коллекторлық кернеуді нөлден 9В дейін, 1В интервалымен, өзгерте отырып, өлшенген коллекторлық тоқтың мәндерін 2.3 кестесіне жазыңыз.

2.3 Сурет – Транзистордың шығыс сипаттамасын, базалық тоқ нөлге тең болғанда, түсіруге арналған сұлба

2.2.14 Iк=f(Uкэ) сипаттамаларын, берілген базалық тоқтарда, түсіру.

2.4 Сурет – Биполярлық транзистордың шығыс сипаттамаларын, берілген базалық тоқтарда, түсіруге арналған сұлба

Кесте 2.3

Iб, µA Iк, Uкэ=1В Iк, Uкэ=2В Iк, Uкэ=3В Iк, Uкэ=4В Iк, Uкэ=5В Iк, Uкэ=6В Iк, Uкэ=7В Iк, Uкэ=8В Iк, Uкэ=9В
0.9 1.9 2.9 3.9 4.9 5.9 6.9 7.9
1.6 1.7 1.8 1.8 1.9 1.9 1.9
2.1 2.2 2.2 2.3 2.4 2.4 2.5 2.5 2.6
2.9 3.0 3.1 3.2 3.3 3.3 3.4 3.5 3.6
3.7 3.8 3.9 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5
4.5 4.6 4.8 4.9 5.1 5.2 5.3 5.4

 

Есептеу тапсырмалары

2.3.1 2.5 суретте көрсетілгендей, бір графикке транзистордың кіріс сипаттамаларын Iб=f(Uбэ) тұрғызыңыз, коллектордағы фиксирленген кернеулерде: Uкэ= 0В, Uкэ= 5В және Uкэ= 10В (2.1. және 2.2 кестелердегі деректер бойынша). Сипаттамалар бойынша графикалық әдіспен, ВАС қисық сызықты бөлігінің дәл ортасындағы аймақ үшін, h11 және h12 параметрлерін анықтаңыз,

h11 = ΔUбэ / ΔIб транзистордың кіріс дифференциалдық кедергісі,

h12 = ΔUбэ / ΔUкэ = ΔUбэ1/(10В-5В) – ішкі кері байланыс коэффициенті.

Сурет 2.5

Сурет 2.6

2.3.2 Фиксирленген базалық тоқтарда, 2.3 кестесіндегі деректер бойынша, бір графикке транзистордың шығыс сипаттамаларын Iк=f(Uкэ) тұрғызыңыз. Сипаттамалар бойынша, 2.6 суретте көрсетілгендей, шамамен сипаттаманың ортасында орналасқан аймақ үшін графикалық әдіспен, h21 және h22 көрсеткіштерін анықтаңыз.

h22= ΔIк/ΔUкэ транзистордың шығыс дифференциалдық өткізгіштігі,

h21 = ΔIк1/ ΔIб = ΔIк1/( Iб111-Iб11) – базалық тоқты беру коэффициенті.

2.3.3 2.4 кестедегі деректер бойынша Iқ = f(Uқб) құймалық сипаттаманы тұрғызыңыз. R1 және R2 кедергілері үшін жүктеме сызығын жүргізіп, күшейту коэффициентін бағалаңыз.

2.3.4 2.5 кестедегі деректер бойынша Iқ = f(Uқб) транзистордың құйма тиектік сипаттамаларын тұрғызыңыз. Құйма кернеуінің әртүрлі мәндері үшін, транзистордың сипаттамасының тік тігін өлшеңіз.

2.3.5 2.6 кестедегі деректер бойынша, тиектегі кернеудің әртүрлі мәндері үшін, құйма – бастау арнасының кедергісін есептеңіз.

MP111 - описание производителя. Основные характеристики и параметры. Даташиты. Справочник транзисторов.

Наименование производителя:MP111

Тип материала:Si

Полярность:NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc):0.15

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb):20

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce):20

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):5

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic):0.1

Предельная температура PN-перехода (Tj), град:120

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):0.5

Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:170

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Қорытынды

Біз бұл зертханалық жұмыста биполярлық транзистордың жұмыс істеу принципімен таныстық, сонымен қатар оның кіріс және шығыс ВАС-сын әртүрлі кернеу мәндерінде алдық, графигін тұрғыздық.

Қорытыңдыласак,мен осы зертханалық жұмысты істеу арқылы осы пән бойынша жаңа мәліметтермен таныстым. Транзистор 3 қосылу схемасыннан тұрады. Соның ішінде ортақ эмиттермен қосылу схемасы бойынша зертханалық жұмыс жүргізілді. Транзистордың кіріс сипаттамасын Iб = f(Uбэ) коллекторлық кернеу Uкэ=0 В, Uкэ=5 В, Uкэ=10 В болған кезде түсіріп, графигін тұрғыздым. Транзистордың шығыс сипаттамасын Iк =f(Uкэ) базалық токты 0-ден 80 мкА-ге дейін өзгерте отырып, сонымен қатар ток бойынша беріліс сипаттамасын салдым. Транзистордым түрлі маркіде болатының байқадым. Біздің жұмыс барысымзда БТМП111 атты маркілі транзистор қолданылды.

 

Әдебиеттер тізімі

1. Абдрешова С.Б. “Аналогты құрылғылардың сұлбатехникасы мен элементтері: зертханалық жұмыстарға арналған әдістемелік нұсқаулар”. –Алматы: АЭжБУ, 2013. -24 б.

2. Нұрманов М.Ш., Құрманов А.Т., Жанқозин Ә. Ж. “Электроника және микросхемотехника”. Алматы: ҚР ІІМ-нің Академиясы, ҒЗ және РББ, 2000.-233 б.

3. Берікұлы Әлімжан “Техникалық электроника: Жоғары техникалық оқу орындары студенттеріне арналған оқулық.” –Алматы: Білім, 1995. -196 бет.

4. Григорьев О.П., Замятин В.Я., Кондратьев Б.В., Пожидаев С.Л. “Диоды: Справочник”. – Москва: Радио и связь, 1990. -336 с.: ил. – (Массовая библиотека. Вып. 1158).

 






ТОП 5 статей:
Экономическая сущность инвестиций - Экономическая сущность инвестиций – долгосрочные вложения экономических ресурсов сроком более 1 года для получения прибыли путем...
Тема: Федеральный закон от 26.07.2006 N 135-ФЗ - На основании изучения ФЗ № 135, дайте максимально короткое определение следующих понятий с указанием статей и пунктов закона...
Сущность, функции и виды управления в телекоммуникациях - Цели достигаются с помощью различных принципов, функций и методов социально-экономического менеджмента...
Схема построения базисных индексов - Индекс (лат. INDEX – указатель, показатель) - относительная величина, показывающая, во сколько раз уровень изучаемого явления...
Тема 11. Международное космическое право - Правовой режим космического пространства и небесных тел. Принципы деятельности государств по исследованию...



©2015- 2024 pdnr.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.