Пиши Дома Нужные Работы

Обратная связь

Завдання до виконання лабораторної роботи

 

1. На робочому столі автоматизованої системи SIMON створити експериментальну наносхему дослідження статистичних характеристик ОЕТ, як показано на рис. 14.3.

 

Рис. 14.3. Експериментальна наносхема дослідження статичних характеристик одноелектронного транзистора

2. Дослідити її статичні характеристики для двох експериментів (коли відсутня напруга на затворі та коли вона змінна ), які для прикладу побудовані на рис. 14.4.

 

Експеримент 1: .

 

а) б)

 

в) г)

 

 

Експеримент 2: .

 

 

д) е)

ж) з)

Рис. 14.4. Результати моделювання напруг виток-сток (а, д), на затворі (б, е) та відповідних статистичних характеристик зарядів (в, ж) і струмів (г, з) одноелектронного транзистора для двох експериментів: 1) та

 

3. Визначити напругу кулонівської блокади, змінюючи напругу на затворі .

а) б)

в) г)

Рис. 14.5. Результати моделювання напруги виток-сток (а), на затворі (б) та відповідних статистичних характеристик зарядів (в) і струму (г) одноелектронного транзистора для значення .

 

Завдання до оформлення лабораторної роботи

 

Для захисту лабораторної роботи потрібно підготуватися до відповідей на контрольні запитання та оформити протокол, який вміщує:

1. Мету роботи та фізико-теоретичні відомості про одноелектронний транзистор.

2. Експериментальну наносхему дослідження ОЕТ та діаграми моделювання його статичних характеристик.

3. Висновки.

Контрольні запитання

 

1. Яку конструкцію має одноелектронний транзистор?

2. Як забезпечується польове керування напруги затвора зарядом на кулонівському острівці?

3. Чим пояснюється регулярність кулонівських коливань на прохідній ВАХ одноелектронного транзистора?



4. Розрахувати залежність інтервалу коливань струму на прохідній ВАХ від ємності затвору аФ.

5. Чим відрізняються ВАХ наноелектронного ОЕТ і мікроелектронного польового транзисторів?

6. Які переваги і недоліки одноелектронного транзистора?

7. Де застосовують одноелектронні транзистори?


 

ЛАБОРАТОРНА РАБОТА № 15

Характеристики одноелектронної комірки пам’яті

 

Мета роботи: Дослідити характеристики запису-зберігання-читання інформації одноелектронної комірки пам’яті.

 

Фізико-теоретичні відомості

 

В одноелектронних запам’ятовуючих елементах динамічних оперативних запам’ятовуючих пристроїв інформація зберігається у стані заряду, накопиченому на кулонівському острівці пам’яті (КОП на рис. 15.1) .

 

 

Рис. 15.1. Наносхема одноелектронної комірки пам’яті

 

Запис інформації в одноелектронну комірку виконується при підключенні шини запису (ШЗ) до імпульсної напруги . При цьому ліквідується кулонівська блокада і один (декілька) електронів тунелюють через двоперехідний прилад до КОП. Для збільшення часу зворотнього стікання електронів, тобто часу зберігання інформації, використовують прилад з двома тунельними переходами, а не з одним. Двоперехідний прилад часто називають нереверсивним або одноелектронною пасткою.

Заряд електронів на КОП через конденсатор затвору впливає на поляризацію квантового острівця КО та струм одноелектронного транзистора. Для читання інформації на стоковий перехід транзистора подають сигнал вибору .

Завдання до виконання лабораторної роботи

 

1. На робочому столі автоматизованої системи SIMON створити експериментальну наносхему одноелектронної комірки пам’яті, як показано на рис. 15.2.

 

Рис. 15.2. Експериментальна наносхема одноелектронної комірки пам’яті

 

2. Дослідити характеристики режимів запису та читання інформації одноелектронної комірки пам’яті, які для прикладу наведені на рис. 15.3.

 

 

а) б)

 

 

в) г)

 

д) е)

 

Рис. 15.3. Результати моделювання напруги запису(а), струму запису(б), напруги читання(в), струму читання(г), напруги на тунельному переході витоку транзистора(д) та заряду на кулонівському острівці пам’яті(е)

 






ТОП 5 статей:
Экономическая сущность инвестиций - Экономическая сущность инвестиций – долгосрочные вложения экономических ресурсов сроком более 1 года для получения прибыли путем...
Тема: Федеральный закон от 26.07.2006 N 135-ФЗ - На основании изучения ФЗ № 135, дайте максимально короткое определение следующих понятий с указанием статей и пунктов закона...
Сущность, функции и виды управления в телекоммуникациях - Цели достигаются с помощью различных принципов, функций и методов социально-экономического менеджмента...
Схема построения базисных индексов - Индекс (лат. INDEX – указатель, показатель) - относительная величина, показывающая, во сколько раз уровень изучаемого явления...
Тема 11. Международное космическое право - Правовой режим космического пространства и небесных тел. Принципы деятельности государств по исследованию...



©2015- 2024 pdnr.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.